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VMO 650-01F
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")
min. typ. max.
5
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g
Q gs
Q gd
R thJC
R thJS
V DS = 10 V; I D = 0.5 ? I D25 pulsed
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
R G = 2 W (external)
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
with 30 m m heat transfer paste
390
59
20.8
10.4
250
500
800
200
2300
455
1110
S
nF
nF
nF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.048 K/W
0.072 K/W
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Symbol
Test Conditions
min. typ. max.
I S
I SM
V GS = 0 V
Repetitive; pulse width limited by T JM
690
2760
A
A
V SD
t rr
I F = I S ; V GS = 0 V,
Pulse test, t ￡ 300 m s, duty cycle d ￡ 2 %
I F = I S , -di/dt = 1000 A/ m s, V DS = 0.5 ? V DSS
0.9
300
1.2
V
ns
IXYS MOSFETs IXYS IGBTs rights reserved the following U.S.patents:
are covered by one of
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025
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